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Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-236-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
8 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
30
-
0,07 €
90
14% = 0,01 €
0,06 €
150
29% = 0,02 €
0,05 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 30
Total (0,07 € / unité(s))
0,10 €
-30 %
2,10 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
BSS84P
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-236-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal P
- I(d)
170 mA
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
8 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
170 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
20 µA
- Q(G)
1.5 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
19 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
SIPMOS®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
Description
Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P.