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Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-236-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
10
-
0,25 €
30
8% = 0,60 €
0,23 €
50
12% = 1,50 €
0,22 €
100
16% = 4,00 €
0,21 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 10
Total (0,25 € / unité(s))
2,50 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
BSS83P
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-236-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal P
- I(d)
330 mA
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
330 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
78 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
SIPMOS®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3
Description
Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P.
Souvent acheté ensemble
(*Les prix indiqués s'entendent HT)Prix total:
5,25 €*
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Accessoires
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