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Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 2.3 W SOT-23-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
SI2303CDS-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Type
Canal P
- I(d)
2.7 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.3 W
- R(DS)(on)
190 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
1.9 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
8 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
155 pF
- Tension de référence C(ISS)
15 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
TrenchFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
30 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 2.3 W SOT-23-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 2.3 W SOT-23-3
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