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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
'Un transistor à trois pattes dans un boîtier noir. Les trois bornes métalliques sont disposées en ligne.'
Photo non contractuelle
'Un transistor à trois pattes dans un boîtier noir. Les trois bornes métalliques sont disposées en ligne.'
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-92-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
400 mW
R(DS)(on)
5 Ω
ON Semiconductor
Livraison le mar. 15 septembre

1812 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
15
-
0,33 €
45
9% = 0,03 €
0,30 €
75
12% = 0,04 €
0,29 €
150
15% = 0,05 €
0,28 €
300
18% = 0,06 €
0,27 €
600
21% = 0,07 €
0,26 €
1500
24% = 0,08 €
0,25 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €

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HT 
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Points forts et détails

MOSFET

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

2N7000TA

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-92-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal N

I(d)

200 mA

UBR DSS

60 V

Puissance (max) P(TOT)

400 mW

R(DS)(on)

5 Ω

R(DS)(on) Courant de référence

500 mA

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

1 mA

C(ISS)

50 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

60 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
Type de montage
 
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

1262890

 
Ce produit
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
Canal N
50 pF
trou traversant
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
Canal N
73 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
Canal N
2000 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
Canal N
14365 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
Canal N
8660 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1262890 ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

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