Photo non contractuelle
Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
3,99 €
5
7% = 1,30 €
3,73 €
10
9% = 3,60 €
3,63 €
25
11% = 10,75 €
3,56 €
50
13% = 25,50 €
3,48 €
100
15% = 60,00 €
3,39 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Total (3,99 € / unité(s))
3,99 €
HT
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts et détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFB4110PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
120 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.5 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
75 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
210 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
9620 pF
- Tension de référence C(ISS)
50 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
Souvent acheté ensemble
(*Les prix indiqués s'entendent HT)Prix total:
6,74 €*
Quel type de MOSFETS cherchez-vous ?
Accessoires
(*Les prix indiqués s'entendent HT)L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description
Autres produits intéressants
(*Les prix indiqués s'entendent HT)
0,79728 €*
