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Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 710 mW SOT-23-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
710 mW
R(DS)(on)
57 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
SI2302CDS-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Type
Canal N
- I(d)
2.6 A
- UBR DSS
20 V
- Puissance (max) P(TOT)
710 mW
- R(DS)(on)
57 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
3.6 A
- Tension de référence R(DS)(on)
4.5 V
- U(GS)(th) max.
0.85 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
5.5 nC
- Q(G) Tension de référence
4.5 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
TrenchFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
20 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 710 mW SOT-23-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 710 mW SOT-23-3
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