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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor FQP47P06 MOSFET 1 Canal P 160 W TO-220-3

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
26 mΩ
ON Semiconductor
 

76 pièce(s)
Vente et expédition :

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
4,16 € €
5
7% = 0,28 €
3,88 € €
10
9% = 0,38 €
3,78 € €
25
11% = 0,45 €
3,71 € €
50
13% = 0,53 €
3,63 € €
100
15% = 0,63 €
3,53 € €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €

Nombre

Total (4,16 € / unité(s))
€
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Caractéristiques techniques

Type

FQP47P06

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal P

I(d)

47 A

UBR DSS

60 V

Puissance (max) P(TOT)

160 W

R(DS)(on)

26 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

23.5 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

110 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

3600 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

QFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

60 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
Type de montage
 
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
Canal N
50 pF
trou traversant
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
Canal N
73 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
Canal N
2000 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
Canal N
14365 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
Canal N
8660 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

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Conseils d'utilisation et de sécurité 1264209 ON Semiconductor FQP47P06 MOSFET 1 Canal P 160 W TO-220-3

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