1/2
Transcend MTE662T 1 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS1TMTE662T
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Fiche technique (PDF)
Points forts et détails
SSD Transcend MTE662T PCIe M.
- 1 TB
- Avec cache DRAM
- Endurance : cycles P/E 3 K (cycles Program/Erase) garantis
- Conçu pour une utilisation dans la plage de température industrielle (-40℃ à 85℃)
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Contrôleur 8 canaux (8CH) pour des performances exceptionnelles
- Les composants clés sont renforcés de série avec la technologie Corner Bond
- Conforme aux spécifications PCI Express 3.1
- Conforme aux spécifications NVM Express 1.3
- Prend en charge NVM Command
- Technologie de mise en cache SLC
- Fonction LDPC ECC (Error Correction Code) intégré
- Dessage thermique dynamique
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Prend en charge le logiciel Transcend SSD Scope Pro
Caractéristiques techniques
- Type de produit
SSD interne NVMe/PCIe M.2
- Série
MTE662T
- Facteur de forme
Module M.2 2280
- Interfaces
PCIe NVMe 3.0 x4
- Capacité de la mémoire
1 TB
- Lecture
3500 Mo/s
- Écriture (max)
2700 Mo/s
- Vitesse de lecture IOPS (max.)
340000 IOPS
- Vitesse d'écriture IOPS (max.)
355000 IOPS
- Largeur
22 mm
- Hauteur
3.58 mm
- Profondeur
80 mm
- Modèle
industriel
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 2302586 Transcend MTE662T 1 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS1TMTE662T
Conditions de garantie
Conditions de garantie 2302586 Transcend MTE662T 1 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS1TMTE662T
Description
Le SSD MTE662T M.2 de Transcend dispose d'une interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 et est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 pour atteindre des vitesses de transmission impressionnantes. Le MTE662T est équipé de la toute dernière technologie 3D NAND qui permet d'empiler verticalement 96 couches de puces flash NAND 3D. Par rapport au 3D NAND sur 64 couches, cette augmentation de densité améliore considérablement l'efficacité de la mémoire. Le MTE662T est équipé d'un cache DRAM pour un accès rapide et est entièrement testé dans sa propre maison pour garantir la fiabilité dans les applications critiques. Il offre une capacité de charge de 3 K cycles de programmation/d'extinction.
Ce texte a été traduit par une machine.
Ce texte a été traduit par une machine.