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BSP135H6327
MOSFET
TO-261-4
Infineon Technologies
INF
Canal N
120 mA
600 V
1.8 W
45 Ω
120 mA
10 V
1 V
94 µA
4.9 nC
5 V
146 pF
25 V
-55 °C
montage en saillie
SIPMOS®
+150 °C
Mode de déplétion
600 V
1
1 pc(s)
Fiche technique 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
Conseils d'utilisation et de sécurité 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
5,73 €*
L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description