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Composants actifsSemi-conducteursTransistors à effet de champMOSFETS

Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs en boîtier CMS (Composant Monté en Surface) avec trois broches, représentation typique de transistors ou de circuits intégrés.
Deux composants électroniques noirs en boîtier CMS (Composant Monté en Surface) avec trois broches, représentation typique de transistors ou de circuits intégrés.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-261-4
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
Fiche technique (PDF)
Infineon Technologies
Livraison avant le mer. 14 octobre

2411 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad ElectronicCGV

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Points forts et détails

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Caractéristiques techniques

Type

BSP135H6327

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-261-4

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

120 mA

UBR DSS

600 V

Puissance (max) P(TOT)

1.8 W

R(DS)(on)

45 Ω

R(DS)(on) Courant de référence

120 mA

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

1 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

94 µA

Q(G)

4.9 nC

Q(G) Tension de référence

5 V

C(ISS)

146 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Série

SIPMOS®

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Mode de déplétion

U(DSS)

600 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
C(ISS)
 
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

153163

Livraison avant le mer. 14 octobre
2411 pièce(s)Conrad Electronic
Ce produit
TO-261-4
120 mA
45 Ω
600 V
1.8 W
146 pF
Quantité minimale de commande: 2
Pièce(s): 1

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TO-261-4
660 mA
1.8 Ω
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1.8 W
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250 V
360 mW
76 pF
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Pièce(s): 1

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Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

Description

Type à déplétion du canal N

Description

Type à déplétion du canal N

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Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

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