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Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canal N 500 mW TO-236-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-236-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
500 mW
R(DS)(on)
6 Ω
Fiche technique (PDF)
Nombre
Total (0,08 € / unité(s))
0,08 €
HT
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Points forts et détails
Transistor petits signaux
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
BSS123NH
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-236-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
190 mA
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
500 mW
- R(DS)(on)
6 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
190 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
1.8 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
13 µA
- Q(G)
0.9 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
20.9 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
OptiMOS™
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canal N 500 mW TO-236-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 152902 Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 Canal N 500 mW TO-236-3
Description
Type à enrichissement du canal N
Souvent acheté ensemble
(*Les prix indiqués s'entendent HT)Prix total:
2,83 €*
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