Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SO-8
Type
Canal N
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Fiche technique (PDF)
EAN :
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF7343PBF-GURT
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SO-8
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
Canal N
Canal P
- I(d)
4.7 A
- UBR DSS
55 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Type de montage
montage en saillie
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
- UKCA
oui
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
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