Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 Canal P 66 W TO-252AA
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-252AA
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
0,97478 €
150
8% = 0,08 €
0,89632 €
250
11% = 0,11 €
0,86493 €
500
13% = 0,13 €
0,84407 €
1000
16% = 0,15 €
0,82048 €
2000
19% = 0,18 €
0,79435 €
5000
21% = 0,21 €
0,76559 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
Total (0,97478 € / unité(s))
48,74 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET de puissance CMS INFI
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFR5410PBF-GURT
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-252AA
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
Canal P
- I(d)
-13 A
- UBR DSS
-100 V
- Puissance (max) P(TOT)
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Type de montage
trou traversant
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- UKCA
oui
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 Canal P 66 W TO-252AA
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 Canal P 66 W TO-252AA