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ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
350 mW
R(DS)(on)
4 Ω
EAN :
Ref. fabricant :
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Points forts et détails
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Caractéristiques techniques
- Type
FDV301N
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
220 mA
- UBR DSS
25 V
- Puissance (max) P(TOT)
350 mW
- R(DS)(on)
4 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
400 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
4.5 V
- U(GS)(th) max.
1.06 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
0.7 nC
- Q(G) Tension de référence
4.5 V
- C(ISS)
9.5 pF
- Tension de référence C(ISS)
10 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
25 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1264012 ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
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