Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SO-8
Type
Canal N
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
0,51363 €
150
8% = 0,04 €
0,47228 €
250
11% = 0,06 €
0,45575 €
500
13% = 0,07 €
0,44476 €
1000
16% = 0,08 €
0,43233 €
2000
19% = 0,10 €
0,41856 €
5000
21% = 0,11 €
0,40341 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
Total (0,51363 € / unité(s))
25,68 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET de puissance CMS INFI Get IRF_
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF7105PBF-GURT
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SO-8
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
Canal N
Canal P
- I(d)
3.5 A
- UBR DSS
25 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Type de montage
montage en saillie
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
- UKCA
oui
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8