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ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 Canal P 360 mW SOT-23-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
10 Ω
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
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Prix TTC
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
NDS0610
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal P
- I(d)
120 mA
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
10 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
500 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3.5 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
1 mA
- Q(G)
2.5 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
79 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1264964 ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 Canal P 360 mW SOT-23-3
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