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Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
3.7 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
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Points forts et détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF1404ZPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
75 A
- UBR DSS
40 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
3.7 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
75 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
150 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
4340 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
40 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
40 V/190 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 164331 Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 164331 Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB
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