Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SO-8
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
0,93543 €
9
8% = 0,68 €
0,86013 €
15
11% = 1,58 €
0,83001 €
30
13% = 3,76 €
0,80999 €
60
16% = 8,88 €
0,78736 €
120
19% = 20,78 €
0,76228 €
300
21% = 60,22 €
0,73469 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 3
Pièce(s): 1
Total (0,93543 € / unité(s))
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HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF8313PBF-GURT
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SO-8
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
Canal N
- I(d)
9.7 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Type de montage
montage en saillie
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
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