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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 1.6 W SOT-23-3

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires avec des bornes métalliques, probablement des diodes CMS, sur un fond blanc.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires avec des bornes métalliques, probablement des diodes CMS, sur un fond blanc.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
1.6 W
R(DS)(on)
112 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Vishay
Livraison le lun. 14 septembre

174 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
10
-
0,28 €
30
11% = 0,03 €
0,25 €
50
14% = 0,04 €
0,24 €
100
18% = 0,05 €
0,23 €
200
21% = 0,06 €
0,22 €
400
25% = 0,07 €
0,21 €
1000
29% = 0,08 €
0,20 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
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Points forts et détails

MOSFET

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

SI2301CDS-T1-GE3

Type de produit

MOSFET

Boîtier

SOT-23-3

Fabricant

Vishay

Abrév. fab.

VIS

Type

Canal P

I(d)

3.1 A

UBR DSS

20 V

Puissance (max) P(TOT)

1.6 W

R(DS)(on)

112 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

2.8 A

Tension de référence R(DS)(on)

4.5 V

U(GS)(th) max.

1 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

10 nC

Q(G) Tension de référence

4.5 V

C(ISS)

405 pF

Tension de référence C(ISS)

10 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Série

TrenchFET®

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

20 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
Type de montage
 
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 1.6 W SOT-23-3
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 1.6 W SOT-23-3

597293

 
Ce produit
SOT-23-3
1 V
2.8 A
112 mΩ
20 V
1.6 W
Canal P
405 pF
montage en saillie
Vishay IRF530PBF MOSFET 1 Canal N 88 W TO-220AB
Vishay IRF530PBF MOSFET 1 Canal N 88 W TO-220AB

597111

 
TO-220AB
4 V
8.4 A
160 mΩ
100 V
88 W
Canal N
670 pF
trou traversant
Vishay IRF540PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220AB
Vishay IRF540PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220AB

597113

 
TO-220AB
4 V
17 A
77 mΩ
100 V
150 W
Canal N
1700 pF
trou traversant
Vishay IRF640PBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB
Vishay IRF640PBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB

597122

 
TO-220AB
4 V
11 A
180 mΩ
200 V
125 W
Canal N
1300 pF
trou traversant
Vishay IRF640SPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-263-3
Vishay IRF640SPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-263-3

597123

 
TO-263-3
4 V
11 A
180 mΩ
200 V
130 W
Canal N
1300 pF
montage en saillie
Vishay IRF740LCPBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB
Vishay IRF740LCPBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB

597129

 
TO-220AB
4 V
6 A
550 mΩ
400 V
125 W
Canal N
1100 pF
trou traversant
Vishay IRF840LCPBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB
Vishay IRF840LCPBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220AB

597138

 
TO-220AB
4 V
4.8 A
850 mΩ
500 V
125 W
Canal N
1100 pF
trou traversant
Vishay IRF9520PBF MOSFET 1 Canal P 60 W TO-220AB
Vishay IRF9520PBF MOSFET 1 Canal P 60 W TO-220AB

597142

 
TO-220AB
4 V
4.1 A
600 mΩ
100 V
60 W
Canal P
390 pF
trou traversant
Vishay IRF9530PBF MOSFET 1 Canal P 88 W TO-220AB
Vishay IRF9530PBF MOSFET 1 Canal P 88 W TO-220AB

597144

 
TO-220AB
4 V
7.2 A
300 mΩ
100 V
88 W
Canal P
860 pF
trou traversant
Vishay IRF9540PBF MOSFET 1 Canal P 150 W TO-220AB
Vishay IRF9540PBF MOSFET 1 Canal P 150 W TO-220AB

597146

 
TO-220AB
4 V
11 A
200 mΩ
100 V
150 W
Canal P
1400 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 597293 Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 1.6 W SOT-23-3

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 597293 Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 1.6 W SOT-23-3

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