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ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 Canal N 176 W TO-220-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
176 W
R(DS)(on)
10 mΩ
EAN :
Ref. fabricant :
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
FDP80N06
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
80 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
176 W
- R(DS)(on)
10 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
40 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
74 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3190 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
UniFET™
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263824 ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 Canal N 176 W TO-220-3
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