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ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 Canal N, Canal P 900 mW SOIC-8
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal N
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
EAN :
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
FDS8858CZ
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
Canal P
- I(d)
8.6 A
7.3 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
900 mW
- R(DS)(on)
17 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
8.6 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
24 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
1205 pF
- Tension de référence C(ISS)
15 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
PowerTrench®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
30 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 Canal N, Canal P 900 mW SOIC-8
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